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    三星公布5/4/3nm制程节点路线图 2020年上GAA

      [  中关村在线 原创  ]   作者:尹航   |  责编:李诺

    白小姐急旋风彩图 www.freexvideosonline.com   近年来,具备半导体前沿研发生产能力的公司越来越少。此前,伴随着GlobalFoundries以及台联电的退出,目前全球范围内有能力研发7nm制程工艺的公司已经只剩下英特尔、三星以及台积电三家了。

      不过,英特尔近年来在10nm制程节点进行深度技术积累,迟迟没有推进到新的制程节点,而台积电与三星则在7nm节点上开始布局,其中台积电在7nm节点可以说大获全胜,流片的7nm芯片有50+多款。

    三星

      不过今年三星公布了未来的制程工艺路线图,现在日本的技术论坛上三星再次刷新了半导体工艺路线图,今年会推出7nm EUV工艺,明年有5/4nm EUV工艺,2020年则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。

      三星电子4日在日本举行“三星晶圆代工论坛2018日本会议”,简称SFF Japan 2018,这是三星第二次在日本举行代工会议,日本PCwatch介绍了三星这次会议的主要内容,三星的口号是“最受信任的代工厂”,并公布了三星在晶圆代工上的最新路线图。

      三星高管表示2018年晚些时候会推出7nm FinFET EUV工艺,而8nm LPU工艺也会开始风险试产,2019年则会推出5/4nm FinFET EUV工艺,同时开始18nm FD-SOI工艺的风险试产,后者主要面向RF射频、eMRAM等芯片产品。

      2020年三星则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管结构也会大改,从目前的FinFET变成GAA( Gate-All-Around)结构,GAA公认为7nm节点之后取代FinFET晶体管的新一代技术候选。

      三星在这次的论坛会议上表示他们是第一家大规模量产EUV工艺的,这点上倒是没错,台积电要到第二代7nm工艺N7+上才会使用EUV工艺,但是三星比较激进,7nm节点上会直接上7nm工艺,未来的5/4/3nm节点也会全面使用EUV工艺。

      根据三星的说法,他们在韩国华城的S3 Line生产线上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻机,这条生产线原本是用于10nm工艺的,现在已经被改造,据说现在的EUV产能已经达到了大规模生产的标准。

      此外,三星还在S3生产线之外建设全新的生产线,这是EUV工艺专用的,计划在2019年底全面完成,EUV的全面量产计划在2020年完成。

      对三星来说,他们的7nm客户都有谁至关重要,特别是在台积电抢下绝大多数7nm订单的情况下,原文作者认为台积电的7nm产能不可能包揽所有7nm订单,三星依然有机会抢得客户,因此他猜测某公司下一代的GPU有可能交由三星代工——不过他强调这是自己的推测。

      在GPU代工上,三星使用14nm工艺给NVIDA的GTX 1050 Ti/1050显卡的GP107核心代工过。

      下面是三星在封装测试方面的路线图了,目前三星已经可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封装,明年则会推出3D SiP系统级封装,其中I-Cube封装已经可以实现4路HBM 2显存堆栈了。

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    白小姐急旋风彩图 www.freexvideosonline.com true http://www.freexvideosonline.com/697/6974514.html report 2130   近年来,具备半导体前沿研发生产能力的公司越来越少。此前,伴随着GlobalFoundries以及台联电的退出,目前全球范围内有能力研发7nm制程工艺的公司已经只剩下英特尔、三星以及台积电三家了?! 〔还?,英特尔近年来在10nm制程节点进行深度技术积累,迟迟没有推进到新...
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